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新SPICEモデル「ROHMレベル3 (L3)」公開！パワー半導体のシミュレーション速度を飛躍的に向上
[25/05/29]
提供元：PRTIMES
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ローム株式会社（本社：京都市）は、新たに収束性とシミュレーション速度を向上させたSPICEモデルである「ROHMレベル3 (L3)」を開発しました。
パワー半導体の損失はシステム全体の効率に大きく影響するため、設計段階のシミュレーション検証においては、モデルの精度が極めて重要です。ロームが従来提供してきたSiC MOSFET用SPICEモデル「ROHMレベル1 (L1)」は、各特性の再現性を高めることで、高精度なシミュレーションのニーズに対応してきました。しかし一方で、シミュレーションの収束性や演算時間の長さといった課題があり、改善が求められていました。
新モデル「ROHMレベル3 (L3)」では、シンプルなモデル式を採用することで、計算の安定性とスイッチング波形の精度を維持しつつ、従来モデルL1に比べてシミュレーション時間を約50％短縮できます。これにより、回路全体の過渡解析を高精度かつ短時間で実行可能とし、アプリケーション設計段階におけるデバイス評価や損失確認の効率化に貢献します。
「ROHMレベル3 (L3)」の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は、2025年4月よりWebサイト上で公開しており、製品ページ等からもダウンロードが可能です。新モデルL3提供後も、従来モデルも並行して提供します。また、使い方を記したホワイトペーパーも掲載しており、スムーズな導入をサポートします。
[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/62988/71/62988-71-ee0de733bda0b8d90048057d59f4830e-2500x1250.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
各第4世代SiC MOSFET製品ページの「モデルとツール」よりダウンロード
トピックスページ
関連情報
- ホワイトペーパー
- デザインモデルのサポートページ
- SiC MOSFET技術ドキュメント
今後もロームは、シミュレーション技術の向上を通じて、より高性能で高効率なアプリケーション設計を支援し、電力変換技術の革新に貢献していきます。
パワー半導体の損失はシステム全体の効率に大きく影響するため、設計段階のシミュレーション検証においては、モデルの精度が極めて重要です。ロームが従来提供してきたSiC MOSFET用SPICEモデル「ROHMレベル1 (L1)」は、各特性の再現性を高めることで、高精度なシミュレーションのニーズに対応してきました。しかし一方で、シミュレーションの収束性や演算時間の長さといった課題があり、改善が求められていました。
新モデル「ROHMレベル3 (L3)」では、シンプルなモデル式を採用することで、計算の安定性とスイッチング波形の精度を維持しつつ、従来モデルL1に比べてシミュレーション時間を約50％短縮できます。これにより、回路全体の過渡解析を高精度かつ短時間で実行可能とし、アプリケーション設計段階におけるデバイス評価や損失確認の効率化に貢献します。
「ROHMレベル3 (L3)」の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は、2025年4月よりWebサイト上で公開しており、製品ページ等からもダウンロードが可能です。新モデルL3提供後も、従来モデルも並行して提供します。また、使い方を記したホワイトペーパーも掲載しており、スムーズな導入をサポートします。
[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/62988/71/62988-71-ee0de733bda0b8d90048057d59f4830e-2500x1250.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
各第4世代SiC MOSFET製品ページの「モデルとツール」よりダウンロード
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今後もロームは、シミュレーション技術の向上を通じて、より高性能で高効率なアプリケーション設計を支援し、電力変換技術の革新に貢献していきます。
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