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1．調査期間：2017年4月〜9月
2．調査対象：ワイドバンドギャップ半導体単結晶メーカー、研究機関等
3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、ならびに文献調査併用
4．発刊日：2017年9月22日

＜ワイドバンドギャップ半導体単結晶とは＞
本調査におけるワイドバンドギャップ半導体単結晶とは、シリコン（Si）より大きなバンドギャップを持つ半導体（化合物半導体）単結晶を指し、パワー半導体などの次世代材料として期待されている炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、酸化ガリウム（Ga2O3）、窒化アルミニウム（AlN）、ダイヤモンドを対象とする。

◆2017年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場は96億400万円と予測
◆市場の成長を左右する“造る”技術と“活かす”技術、この2つが成長エンジンとなる
◆2023年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場は153億円規模に拡大すると予測

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詳細プレスリリースは以下をご参照ください。
■プレスリリース
http://www.yano.co.jp/press/press.php/001749
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